序號

產(chǎn)品名稱

數(shù)量

簡要技術規(guī)格

備注

1

納米粒度及電位分析儀

1套

(一) 粒度測量和分子量測量 *2.采用非浸入式背反射技術； *3.激光器：633nm，He-Ne氣體激光器; *4.樣品濃度范圍：0.1ppm- 40% w/v *5.采用APD(雪崩式光電二極管)檢測器； *10.儀器通過移動透鏡，自動確定最佳測試點； （二） ZETA電位測量 *2.采用相位分析技術，可以測量ZETA電位的分布

2

全自動快速比表面與孔隙度分析儀

1套

*2.具備有兩個獨立的分析站， 具有兩個獨立的P0 管 7.分析范圍: *7.1 比表面積: 0.0001m2/g 無上限 *7.2 孔徑分析范圍:3.5？ to 5000 ？ *7.3 孔體積最小檢測: 0.0001 cc/g *7.4 壓力傳感器系統(tǒng):配備三級壓力傳感器 1000torr,10torr,1torr 壓力傳感器，并給出壓力傳感器的位置圖和標稱；±0.15%讀數(shù) (1 mmHg 范圍) 壓力分辨率：0.01 torr (1000 mmHg 范 圍); 0.00015 torr (10 mmHg 范圍 )；0.00015 torr (1 mmHg 范圍 ) *7.5 以氮氣為吸附質，最小相對壓力：P/PO < 1 × 10-7 *8.壓力傳感器： 分析系統(tǒng)配有微型壓力傳感器， 兩個獨立的分析站配有獨立的壓力傳感器。每個 PO 站配有獨立的壓力傳感器，保證Po的實時監(jiān)測。 *22.提供不少于 29 種密度函數(shù)理論 DFT，非定義域密度函數(shù)理論 NLDFT 及 GC-MC;

3

表面張力測定儀

1套

一、配置要求 *3. 250℃電加熱測試艙 1個 *4. PID電加熱控制器 1套 *11. 粘附力白金環(huán) 1個 二、技術性能要求 *3. 液體與表面粘附力測量精度：滿足±0.0001mN (10-4mN) *6. 位置升降速度：0.04mm～500mm/min *8. 溫度控制范圍：-10～250℃ *13.配置全封閉電加熱測試艙，升溫范圍：室溫-250℃，升溫速率1K/s，配置100個測試杯，全封閉透明測試室，耐熱玻璃艙門，2個獨立的PT100探頭，PID電加熱控制器。 三、質量保證要求 *1.整機提供5年質保。

4

紫外可見近紅外分光光度計

1套

1．技術規(guī)格 1.1 分光系統(tǒng) *1.1.6 波長掃描速度: （1）波長移動速度：紫外、可見區(qū)：≥18000nm/min ； 近紅外區(qū)：≥70000nm/min； （2）波長掃描速度: 紫外、可見區(qū)：≥4500nm/min ；近紅外PMT/InGaAs區(qū)：≥9000nm/min ；近紅外PbS區(qū)：≥4000nm/min （各種切換所需時間除外） *1.1.9 譜帶寬度: （1）紫外、可見區(qū)：0.1～8nm自動切換； （2）近紅外區(qū)： 0.2～32nm自動切換； *1.1.11 雜散光: 0.00005% 以下 (340nm, NaNO2) *1.1.17 噪音 （1）0.00005Abs RMS (500nm) （2）0.00008Abs 以下 (900nm) （3）0.00003Abs 以下 (1500nm) 狹縫2nm，1秒響應時的RMS值 *1.1.18基線平直度 （1）±0.004Abs（185-200nm） （2）±0.001Abs（200-3000nm） （3）±0.005Abs（3000-3300nm） *1.1.22檢測器 （1）紫外、可見區(qū)：光電倍增管 （2）近紅外區(qū)： InGaAs光電二極管和冷卻型PbS光電導原件 *2．積分球：60mm積分球標配PMT、InGaAs、PbS三個檢測器

5

界面材料熱阻及熱傳導系數(shù)量測儀

1套

二、技術性能要求 3、*最大脈沖能量：≥ 15J 7、*溫度范圍： -150～200℃ （將來在不改變光源的情況下，可以通過僅增加環(huán)境模塊擴展到900°C）； 11、*溫升探測器：接觸式固體探針； 12、*光傳導系統(tǒng): 光源和爐體之間專屬的光傳導系統(tǒng)； 13、*熱擴散系數(shù)準確度：±2.3%以內(nèi)